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CNB1011 PDF预览

CNB1011

更新时间： 2024-11-27 19:23:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 传感器换能器
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
Diffuse Photoelectric Sensor, 1mm Min, 1mm Max, 0.04-0.243mA, 1-Channel, Square, Through Hole Mount, 2.29 X 2.90 MM, 0.88 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRAMINIATURE, 4 PIN

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CNB1011 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83其他特性：0.40V VCE, 100NA DARK CURRENT
主体宽度：2.9 mm主体高度：0.88 mm
主体长度或直径：2.9 mm最大测量范围（毫米）：1 mm
最小测量范围（毫米）：1 mm安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
信道数量：1最大工作电流：30 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
输出电路类型：Transistor最大输出电流：20 mA
输出范围：0.04-0.243mA输出类型：ANALOG CURRENT
最大输出电压：35 V封装形状/形式：SQUARE
响应时间：40 µs传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE
子类别：Position, Linear, Photoelectric Sensors最大供电电压：1.3 V
最小供电电压：1.15 V表面贴装：NO
端接类型：SOLDERVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

CNB1011 数据手册

 浏览型号CNB1011的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CNB1011的Datasheet PDF文件第3页 
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)  
CNB1011  
Reflective photosensor  
1
4
Unit: mm  
C0.3  
I Features  
• Ultraminiature, thin type: 2.29 mm × 2.9 mm (height: 0.88 mm)  
I Applications  
2
3
0.577  
0.748  
• Non-contact point SW, object sensing  
1.325  
0.75 max.  
1.7  
0.75 max.  
1.7  
1.285  
2.29 0.1  
5.69 0.3  
2.9 0.1  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
4-0.5  
1.45  
Parameter  
Symbol Rating  
Unit  
V
Input (Light Reverse voltage (DC)  
VR  
IF  
6
emitting diode) Forward current (DC)  
30  
mA  
mW  
mA  
V
1
1: Anode  
Power dissipation *  
PD  
IC  
75  
2: Cathode  
3: Emitter  
4: Collector  
Output (Photo Collector current  
20  
0.7  
1.4  
transistor)  
Collector to emitter voltage VCEO  
35  
(Note) Tolerance unless otherwise specified is 0.2  
Emitter to collector voltage VECO  
6
75  
V
2
Collector power dissipation *  
PC  
mW  
°C  
Temperature Operating ambient temperature Topr  
Storage temperature  
Note) 1: Input power derating ratio is 1.0 mW/°C at T ≥ 25°C.  
−25 to +85  
Tstg −40 to +100  
°C  
*
a
2: Output power derating ratio is 1.0 mW/°C at T ≥ 25°C.  
*
a
I Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VF  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1.3  
Unit  
V
Input  
Forward voltage (DC)  
IF = 4 mA  
VR = 3 V  
1.15  
characteristics Reverse current (DC)  
IR  
10  
µA  
nA  
Output  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 20 V  
100  
characteristics  
1
Transfer Collector current *  
IC  
ID  
VCE = 2 V, IF = 4 mA, d = 1 mm  
VCE = 2 V, IF = 4 mA  
40  
243  
100  
0.4  
µA  
nA  
V
characteristics Leakage current  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 20 mA, IC = 0.1 mA  
2
Response time *  
tr  
tf  
VCC = 2 V, IC = 0.1 mA  
RL = 1000 Ω  
40  
50  
µs  
Note) 1:Output current (I ) measurement  
2: Response time measurement  
*
*
C
method (see figure below)  
circuit (see figure below)  
Glass plate  
evaporated Al  
d = 1 mm  
Glass plate  
evaporated Al  
d = 1 mm  
tr: Rise time  
tf: Fall time  
Sig. in  
RL  
IF  
IC  
VCC  
Sig.  
out  
Sig. out  
Sig. in  
50 Ω  
90%  
10%  
VCC  
RL  
tr  
tf  
Input and output are handled electrically  
This product is not designed to withstand radiation  
Publication date: October 2001  
SHG00056AED  
1
123

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