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CMPT3410TR PDF预览

CMPT3410TR

更新时间： 2024-11-08 20:01:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 388K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT3410TR 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.22最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMPT3410TR 数据手册

 浏览型号CMPT3410TR的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT3410  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
LOW V  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3410 type is  
a NPN Low V silicon transistor manufactured  
by the epitaxial planar process and epoxy molded in  
an SOT-23 surface mount package. This device is  
designed for battery driven, handheld devices requiring  
CE(SAT)  
NPN SILICON TRANSISTOR  
CE(SAT)  
high current and Low V  
.
CE(SAT)  
MARKING CODE: C341  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
40  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
6.0  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
1.0  
A
C
I
1.5  
A
CM  
Power Dissipation  
P
350  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=40V  
100  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
I
V
=6.0V  
100  
nA  
V
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
40  
25  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =100μA  
6.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
V
V
V
V
I =50mA, I =5.0mA  
25  
40  
50  
75  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =100mA, I =10mA  
C
B
I =200mA, I =20mA  
80  
150  
250  
400  
450  
1.1  
0.9  
C
B
I =500mA, I =50mA  
190  
290  
360  
C
B
I =800mA, I =80mA  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
I =800mA, I =80mA  
C
B
V
=1.0V, I =10mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
h
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =10mA  
100  
100  
100  
50  
C
=1.0V, I =100mA  
300  
FE  
C
=1.0V, I =500mA  
FE  
C
=1.0V, I =1.0A  
FE  
C
f
=10V, I =50mA, f=100MHz  
100  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
6.0  
10  
ob  
E
R2 (1-August 2011)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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