5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CMNDM7001PBFREE
CMNDM7001PBFREE PDF预览

CMNDM7001PBFREE

更新时间： 2024-02-24 22:47:37
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 424K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

CMNDM7001PBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

CMNDM7001PBFREE 数据手册

 浏览型号CMNDM7001PBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMNDM7001  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM7001  
is an Enhancement-mode N-Channel MOSFET,  
manufactured by the N-Channel DMOS Process,  
designed for high speed pulsed amplifier and driver  
applications. This MOSFET offers Low r  
Low Threshold Voltage.  
and  
DS(ON)  
MARKING CODE: AC  
FEATURES:  
• Low 0.5mm Package Profile  
SOT-953 CASE  
• Device is Halogen Free by design  
• Low r  
DS(ON)  
APPLICATIONS:  
• Low Threshold Voltage  
• Load/Power Switches  
• Logic Level Compatible  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Powered Portable Equipment  
• Small, FEMTOmini™ 1.0 x 0.8mm, SOT-953  
Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Drain-Source Voltage  
V
V
20  
10  
DS  
Gate-Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Continuous Drain Current  
I
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
D
D
I
200  
Power Dissipation  
P
250  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
1.0  
UNITS  
μA  
μA  
V
I
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, V =0  
DS  
GSSF GSSR  
GS  
DS  
GS  
=20V, V =0  
1.0  
DSS  
GS  
BV  
=0, I =100μA  
20  
DSS  
GS(th)  
D
V
=V , I =250μA  
0.6  
0.9  
3.0  
4.0  
15  
V
DS GS  
D
r
r
r
=4.0V, I =10mA  
Ω
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
D
=2.5V, I =10mA  
Ω
D
=1.5V, I =1.0mA  
Ω
D
g
=10V, I =100mA  
100  
mS  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
fs  
D
C
C
C
=3.0V, V =0, f=1.0MHz  
4.0  
9.0  
9.5  
50  
rss  
iss  
GS  
=3.0V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=3.0V, V =0, f=1.0MHz  
oss  
GS  
t
t
=3.0V, V =2.5V, I =10mA  
GS  
on  
off  
D
=3.0V, V =2.5V, I =10mA  
75  
GS  
D
R1 (25-January 2010)  
12

中文翻译

下载PDF

与CMNDM7001PBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMNDM7001TR CENTRAL

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
CMNDM7001TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
CMNDM8001 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMNDM8001BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMNDM8001PBFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
CMNDM8001TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMNT3904E CENTRAL

获取价格

 		COMPLEMENTARY FEMTOminiTM SILICON TRANSISTORS
CMNT3904E_10 CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTOR
CMNT3904EBK CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMNT3904EBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,

与CMNDM7001PBFREE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证