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CMNDM7001TR PDF预览

CMNDM7001TR

更新时间： 2024-11-18 21:18:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 423K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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CMNDM7001TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

CMNDM7001TR 数据手册

 浏览型号CMNDM7001TR的Datasheet PDF文件第2页 
CMNDM7001  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM7001 is  
an N-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET,  
manufactured by the N-Channel DMOS Process,  
designed for high speed pulsed amplifier and driver  
applications. This MOSFET offers Low r  
Low Threshold Voltage.  
and  
DS(ON)  
MARKING CODE: AC  
FEATURES:  
• Low 0.5mm Package Profile  
SOT-953 CASE  
• Device is Halogen Free by design  
• Low r  
DS(ON)  
APPLICATIONS:  
• Low Threshold Voltage  
• Load/Power Switches  
• Logic Level Compatible  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Powered Portable Equipment  
• Small, FEMTOmini™ 1.0 x 0.8mm, SOT-953  
Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
20  
10  
DS  
GS  
Gate-Source Voltage  
V
V
Continuous Drain Current (Steady State)  
Continuous Drain Current  
I
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
D
D
I
200  
Power Dissipation  
P
250  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
stg  
-65 to +150  
J
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, V =0  
1.0  
μA  
GSSF GSSR  
GS  
DS  
GS  
DS  
I
=20V, V =0  
GS  
1.0  
μA  
V
DSS  
BV  
=0, I =100μA  
20  
DSS  
GS(th)  
D
V
=V , I =250μA  
0.6  
0.9  
3.0  
4.0  
15  
V
DS GS  
D
r
r
r
=4.0V, I =10mA  
0.9  
1.3  
Ω
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
D
=2.5V, I =10mA  
Ω
D
=1.5V, I =1.0mA  
Ω
D
Q
Q
Q
=10V, V =4.5V, I =100mA  
0.566  
0.16  
0.08  
nC  
nC  
nC  
mS  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
g(tot)  
gs  
GS  
D
=10V, V =4.5V, I =100mA  
GS  
D
=10V, V =4.5V, I =100mA  
gd  
GS  
D
g
=10V, I =100mA  
100  
FS  
D
C
C
C
=3.0V, V =0, f=1.0MHz  
4.0  
9.0  
9.5  
50  
rss  
iss  
GS  
=3.0V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=3.0V, V =0, f=1.0MHz  
oss  
GS  
t
t
=3.0V, V =2.5V, I =10mA  
GS  
on  
off  
D
=3.0V, V =2.5V, I =10mA  
75  
GS  
D
R3 (22-August 2011)  
12

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