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CMNT3906E

更新时间： 2024-11-18 06:48:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 164K
描述
COMPLEMENTARY FEMTOminiTM SILICON TRANSISTORS

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CMNT3906E 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：,
针数：5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72Base Number Matches：1

CMNT3906E 数据手册

 浏览型号CMNT3906E的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMNT3904E NPN  
CMNT3906E PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
DESCRIPTION:  
The Central Semiconductor CMNT3904E/CMNT3906E  
Low V NPN and PNP Transistors, respectively,  
TM  
COMPLEMENTARY FEMTOmini  
SILICON TRANSISTORS  
CE (SAT)  
are designed for applications where ultra small size and  
power dissipation are the prime requirements.  
Packaged in an FEMTOmini™ SOT-953 package,  
these components provide performance characteristics  
suitable for the most demanding size constrained  
applications.  
CMNT3904E MARKING CODE: CL  
CMNT3906E MARKING CODE: CM  
SOT-953 CASE  
FEATURES  
APPLICATIONS  
• Very Small Package Size  
• Low Package Profile, 0.5mm  
• 200mA Collector Current  
• DC / DC Converters  
• Voltage Clamping  
• Protection Circuits  
• Battery powered equipment including:  
Cell Phones, Digital Cameras, Pagers,  
PDAs, Laptop Computers, etc.  
• Low V  
(0.1V Typ @ 50mA)  
CE(SAT)  
• Small, FEMTOmini™ 1 x 0.8mm,  
SOT-953 Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
A
♦
♦
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
60  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
6.0  
200  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
P
250  
-65 to +150  
500  
D
T , T  
stg  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
PNP  
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=30V, V =3.0V  
50  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CEV  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE EB  
♦BV  
BV  
BV  
♦V  
V
V
V
h
♦h  
I =10μA  
60  
40  
6.0  
115  
60  
7.5  
.057  
0.1  
0.75  
0.85  
240  
235  
90  
55  
7.9  
.05  
0.1  
0.75  
0.85  
130  
150  
C
I =1.0mA  
C
♦
I =10μA  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.1  
0.2  
0.85  
0.95  
C
B
B
B
B
♦
)
I =50mA, I =5.0mA  
CE(SAT  
C
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
BE(SAT  
BE(SAT  
FE  
C
)
)
I =50mA, I =5.0mA  
C
♦
V
V
=1.0V, I =0.1mA  
90  
100  
CE  
CE  
C
=1.0V, I =1.0mA  
FE  
C
♦ Enhanced Specification  
R1 (18-January 2008)  
12

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