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CMNT3906EBK PDF预览

CMNT3906EBK

更新时间： 2024-11-18 19:48:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 162K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-5

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CMNT3906EBK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

CMNT3906EBK 数据手册

 浏览型号CMNT3906EBK的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMNT3904E NPN  
CMNT3906E PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
DESCRIPTION:  
The Central Semiconductor CMNT3904E/CMNT3906E  
Low V NPN and PNP Transistors, respectively,  
TM  
COMPLEMENTARY FEMTOmini  
SILICON TRANSISTORS  
CE (SAT)  
are designed for applications where ultra small size and  
power dissipation are the prime requirements.  
Packaged in an FEMTOmini™ SOT-953 package,  
these components provide performance characteristics  
suitable for the most demanding size constrained  
applications.  
CMNT3904E MARKING CODE: CL  
CMNT3906E MARKING CODE: CM  
SOT-953 CASE  
FEATURES  
APPLICATIONS  
• Very Small Package Size  
• Low Package Profile, 0.5mm  
• 200mA Collector Current  
• DC / DC Converters  
• Voltage Clamping  
• Protection Circuits  
• Battery powered equipment including:  
Cell Phones, Digital Cameras, Pagers,  
PDAs, Laptop Computers, etc.  
• Low V  
(0.1V Typ @ 50mA)  
CE(SAT)  
• Small, FEMTOmini™ 1 x 0.8mm,  
SOT-953 Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
A
♦
♦
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
60  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
6.0  
200  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
P
250  
-65 to +150  
500  
D
T , T  
stg  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
PNP  
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=30V, V =3.0V  
50  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CEV  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE EB  
♦BV  
BV  
BV  
♦V  
V
V
V
h
♦h  
I =10μA  
60  
40  
6.0  
115  
60  
7.5  
.057  
0.1  
0.75  
0.85  
240  
235  
90  
55  
7.9  
.05  
0.1  
0.75  
0.85  
130  
150  
C
I =1.0mA  
C
♦
I =10μA  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.1  
0.2  
0.85  
0.95  
C
B
B
B
B
♦
)
I =50mA, I =5.0mA  
CE(SAT  
C
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
BE(SAT  
BE(SAT  
FE  
C
)
)
I =50mA, I =5.0mA  
C
♦
V
V
=1.0V, I =0.1mA  
90  
100  
CE  
CE  
C
=1.0V, I =1.0mA  
FE  
C
♦ Enhanced Specification  
R1 (18-January 2008)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMNT3906EBKPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMNT3906EPBFREE#N/A CENTRAL

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CMNT3906ETR CENTRAL

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 		Transistor
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