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CM900DU-24NF

更新时间： 2024-02-10 05:46:11

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
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5页	61K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

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CM900DU-24NF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	7.92
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	900 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1100 ns	标称接通时间 (ton)：	800 ns
Base Number Matches：	1

CM900DU-24NF 数据手册

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM900DU-24NF

HIGH POWER SWITCHING USE

CM900DU-24NF

IC ...................................................................900A

VCES ......................................................... 1200V

Insulated Type

2-elements in a pack

APPLICATION

UPS & General purpose inverters, etc

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

A,B HOUSING Type

(J. S. T. Mfg. Co. Ltd)

A : VHR-2N

B : VHR-5N

150

Tc measured point

(The side of Cu

base plate)

137.5±0.25

14 14

+1.0

34.6

–0.5

Tc measured point

(The side of Cu

base plate)

12 2

C 2 E 1

8-f6.5

MOUNTING HOLES

+1.0

34.6

–0.5

±0.2

9-M6 NUTS 12

1.9

14 14 14 14 14 14

42 42

L A B E L

C2E1

CIRCUIT DIAGRAM

Mar. 2003

12 3 4 5

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CM900DU-24NF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CM900DU-24NF	POWEREX	功能相似	Mega Power Dual⑩ IGBTMOD 900 Amperes/1200 Vol

与CM900DU-24NF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM900DU-24NF_09	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM900DUC-24NF	MITSUBISHI	获取价格	Mega Power Dual IGBTMOD 900 Amperes/1200 Volts
CM900DUC-24S	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM900HB-90H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM900HB-90H	POWEREX	获取价格	Single IGBTMOD⑩ HVIGBT 900 Amperes/4500 Volts
CM900HB-90H_09	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM900HC-90H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM900HC-90X	MITSUBISHI	获取价格	HVIGBT模块 / HVIPM X系列 CM900HC-90X
CM900HG-130X	MITSUBISHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
CM900HG-90H	MITSUBISHI	获取价格	HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE