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CM900DUC-24S

更新时间： 2024-01-06 13:17:32

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		开关高功率电源
页数	文件大小	规格书
9页	360K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM900DUC-24S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9	针数：	9
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	900 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X9
元件数量：	2	端子数量：	9
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5950 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

CM900DUC-24S 数据手册

TENTATIVE

< IGBT MODULES >

CM900DUC-24S

HIGH POWER SWITCHING USE

INSULATED TYPE

Collector current I_C.............….......................… 9 0 0 A

Collector-emitter voltage V_CES......................… 1 2 0 0 V

Maximum junction temperature T_jmax.............. 1 7 5 °C

●Flat base Type

●Copper base plate (non-plating)

●RoHS Directive compliant

Dual switch (Half-Bridge)

APPLICATION

Wind power, Photovoltaic (Solar) power, AC Motor Control, Motion/Servo Control, Power supply, etc.

OUTLINE DRAWING & INTERNAL CONNECTION

Dimension in mm

INTERNAL CONNECTION

Tolerance otherwise specified

C2E1

Division of Dimension Tolerance

(Cs2)

(Cs1)

0.5 to

±0.2

±0.3

±0.5

±0.8

±1.2

over

to 30

(Es1)

over 30 to 120

over 120 to 400

Di1

Di2

Tr1

Tr2

The tolerance of size between

terminals is assumed to be ±0.4.

(Es2)

July-2012

12 3 4 5 6 7...9

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