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CM900HG-90H

更新时间： 2024-11-02 06:48:11

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三菱 - MITSUBISHI		开关双极性晶体管高功率电源
页数	文件大小	规格书
7页	96K
描述
HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM900HG-90H 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	900 A	集电极-发射极最大电压：	4500 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X6	元件数量：	3
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	11300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CM900HG-90H 数据手册

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM900HG-90H

HIGH POWER SWITCHING USE

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM900HG-90H

● IC..................................................................900 A

● VCES ...................................................... 4500 V

● High Insulated Type

● 1-element in a Pack

● AISiC Baseplate

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

190 0.5

5-M8 NUTS

57 0.25

(6)

(4)

(2)

(5)

(3)

(1)

CIRCUIT DIAGRAM

3-M4 NUTS

8-φ7 MOUNTING HOLES

14 0.3

59.2 0.5

61.2 0.5

12 0.3

18 0.3

41 0.5

screwing depth

min. 16.5

22 0.3

screwing depth

min. 7.7

LABEL

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

May 2009

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CM904	CML	获取价格	T-5 Wedge Base
CM906	CML	获取价格	T-5 Wedge Base
CM9070F	FENGJUI	获取价格	EMI SOLOTION PRODUCTS-RoHS
CM9070F-102	FENGJUI	获取价格	EMI SOLOTION PRODUCTS-RoHS
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