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CM900HC-90H

更新时间： 2024-11-02 12:23:11

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三菱 - MITSUBISHI		开关高功率电源
页数	文件大小	规格书
7页	92K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM900HC-90H 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	9
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	900 A
集电极-发射极最大电压：	4500 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
元件数量：	3	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	11900 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	7200 ns
标称接通时间 (ton)：	3600 ns	Base Number Matches：	1

CM900HC-90H 数据手册

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM900HC-90H

HIGH POWER SWITCHING USE

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM900HC-90H

● IC..................................................................900 A

● VCES ...................................................... 4500 V

● Insulated Type

● 1-element in a Pack

● AISiC Baseplate

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

190 ^0.5

171 ^0.1

6 - M8 NUTS

57 ^0.1

57 0.1

57 ^0.1

CIRCUIT DIAGRAM

20.25 ^0.2

41.25 ^0.3

0.1

8 - φ7

MOUNTING HOLES

3 - M4 NUTS

79.4 ^0.3

screwing depth

min. 16.5

0.2

0.3

61.5 ^0.3

0.2

61.5

0.3

screwing depth

min. 7.7

0.2

5.2

LABEL

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

Sep. 2009

12 3 4 5 6 7

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