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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 7.92 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 900 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1100 ns | 标称接通时间 (ton)： | 800 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CM900DU-24NF | MITSUBISHI |
功能相似  |
HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM900DU-24NF_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| CM900DUC-24NF | MITSUBISHI |
获取价格 |
Mega Power Dual IGBTMOD 900 Amperes/1200 Volts |
|
| CM900DUC-24S | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM900HB-90H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM900HB-90H | POWEREX |
获取价格 |
Single IGBTMOD⑩ HVIGBT 900 Amperes/4500 Volts |
|
| CM900HB-90H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM900HC-90H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM900HC-90X | MITSUBISHI |
获取价格 |
HVIGBT模块 / HVIPM X系列 CM900HC-90X |
|
| CM900HG-130X | MITSUBISHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| CM900HG-90H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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