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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
双极性晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 559K |  |
| 描述 | ||
| Mega Power Dual IGBTMOD 900 Amperes/1200 Volts | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 | 针数： | 9 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 900 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X9 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 9 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5950 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM900DUC-24S | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM900HB-90H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM900HB-90H | POWEREX |
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Single IGBTMOD⑩ HVIGBT 900 Amperes/4500 Volts |
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| CM900HB-90H_09 | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM900HC-90H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM900HC-90X | MITSUBISHI |
获取价格 |
HVIGBT模块 / HVIPM X系列 CM900HC-90X |
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| CM900HG-130X | MITSUBISHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| CM900HG-90H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM903 | CML |
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T-5 Wedge Base |
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| CM904 | CML |
获取价格 |
T-5 Wedge Base |
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