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CM1200E4C-34N

更新时间： 2024-11-20 03:32:35

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
6页	60K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM1200E4C-34N 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.24
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1200 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	1	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	6500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1500 ns
标称接通时间 (ton)：	1400 ns	VCEsat-Max：	2.8 V
Base Number Matches：	1

CM1200E4C-34N 数据手册

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM1200E4C-34N

HIGH POWER SWITCHING USE

4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM1200E4C-34N

● IC................................................................ 1200A

● VCES ....................................................... 1700V

● Insulated Type

● 1-element in a Pack (for brake)

● AISiC Baseplate

● Trench Gate IGBT : CSTBT™

● Soft Reverse Recovery Diode

APPLICATION

Traction drives, DC choppers, Dynamic braking choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

130±0.5

4 - M8 NUTS

57±0.25

4(C)

2(A)

3(E)

1(K)

CIRCUIT DIAGRAM

10.35±0.2

3 - M4 NUTS

6 - φ 7 MOUNTING HOLES

10.65±0.2

48.8±0.2

15±0.2

40±0.2

screwing depth

min. 16.5

61.5±0.3

5.2±0.2

18±0.2

screwing depth

min. 7.7

LABEL

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

Jul. 2005

12 3 4 5 6

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与CM1200E4C-34N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM1200HA24H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 1.2KA I(C)
CM1200HA24J	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 1.2KA I(C)
CM1200HA-24J	POWEREX	获取价格	Single IGBTMOD⑩ H-Series Module 1200 Amperes/
CM1200HA34H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.7KV V(BR)CES \| 1.2KA I(C)
CM1200HA-34H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM1200HA-34H	POWEREX	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM1200HA50H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 2.5KV V(BR)CES \| 1.2KA I(C)
CM1200HA-50H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM1200HA-66H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM1200HA-66H_03	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE