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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1200 A | 集电极-发射极最大电压： | 3300 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X9 | 元件数量： | 3 |
| 端子数量： | 9 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 15630 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 3500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 3600 ns |
| VCEsat-Max： | 4.94 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| GP1200ESM33 | DYNEX |
功能相似  |
High Reliability Single Switch IGBT Module Advance Information |
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| CM1200HB-66H | POWEREX |
功能相似 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM1200HB-66H_05 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM1200HC-34H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM1200HC-50H | POWEREX |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM1200HC-50H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM1200HC-50H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM1200HC-66H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM1200HC-66H_05 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM1200HC-66H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM1200HC-66X | MITSUBISHI |
获取价格 |
HVIGBT模块 / HVIPM X系列 CM1200HC-66X |
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| CM1200HC-90R | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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