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CM1200HC-66H

更新时间： 2024-11-16 21:55:31

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	56K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM1200HC-66H 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1200 A	集电极-发射极最大电压：	3300 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X9	元件数量：	3
端子数量：	9	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	4.29 V	Base Number Matches：	1

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM1200HC-66H

HIGH POWER SWITCHING USE

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM1200HC-66H

● IC................................................................ 1200A

● VCES ....................................................... 3300V

● Insulated Type

● 1-element in a pack

● AISiC base plate.

APPLICATION

Inverters, Converters, DC choppers, Induction heating, DC to DC converters.

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

190

171

6 - M8 NUTS

57±0.25

CIRCUIT DIAGRAM

20.25

41.25

8 - φ7MOUNTING HOLES

3 - M4 NUTS

79.4

61.5

5.2

LABEL

HVIGBT MODULES (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor Modules)

Mar. 2001

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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