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CM1200HG-66H

更新时间： 2024-02-13 04:23:56

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
7页	67K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM1200HG-66H 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9	针数：	9
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1200 A
集电极-发射极最大电压：	3300 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X9	元件数量：	3
端子数量：	9	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CM1200HG-66H 数据手册

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM1200HG-66H

HIGH POWER SWITCHING USE

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM1200HG-66H

● IC................................................................ 1200A

● VCES ....................................................... 3300V

● High Insulated Type

● 1-element in a Pack

● AISiC Baseplate

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

190±0.5

5 - M8 NUTS

57±0.25

(6)

(4)

(2)

(5)

(3)

(1)

CIRCUIT DIAGRAM

3 - M4 NUTS

8 - φ 7 MOUNTING HOLES

14±0.3

59.2±0.5

61.2±0.5

12±0.3

18±0.3

screwing depth

min. 16.5

41±0.5

22±0.3

screwing depth

min. 7.7

LABEL

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

Jul. 2005

12 3 4 5 6 7

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