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CLY10

更新时间： 2024-11-04 22:28:39

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7页	77K
描述
GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)

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CLY10 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	9 V
最大漏极电流 (ID)：	2.1 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	9 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

CLY10 数据手册

GaAs FET

CLY 10

_________________________________________________________________________________________________________

D a t a s h e e t

* Power amplifier for mobile phones

* For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz

* Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V

* P_OUTat V_D=3V, f=1.8GHz 28.5 dBm typ.

* High efficiency better 55 %

ESD: Electrostatic discharge sensitive device,

observe handling precautions!

Type

Marking

Ordering code

(taped)

Pin Configuration

Package 1)

CLY 10

Q62702-L94

SOT 223

Maximum ratings

Symbol

Values

Unit

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current

-6

2.1

150

Channel temperature

Storage temperature

stg

°C

-55...+150

3.5

Total power dissipation (T < 80 °C)

totDC

Total power dissipation (T < 110 °C)

2.0

Thermal resistance

Channel - soldering point

thChS

K/W

≤20

1) Dimensions see chapter Package Outlines

2) T is measured on the source lead to the PCB under load.

Siemens Aktiengesellschaft

pg. 1/7

17.12.96

HL EH PD 21

12 3 4 5 6 7

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