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CFY25-20H PDF预览

CFY25-20H

更新时间： 2024-11-23 18:37:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 48K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MICRO-X-4

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CFY25-20H 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.08 A最大漏极电流 (ID)：0.08 A
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最高频带：X BAND
JESD-30 代码：O-CRDB-F4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.25 W最小功率增益 (Gp)：8.5 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

CFY25-20H 数据手册

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CFY25  
HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET  
• HiRel Discrete and Microwave  
4
1
3
2
Semiconductor  
• For professional pre- and driver-amplifiers  
• For frequencies from 500 MHz to 20 GHz  
• Hermetically sealed microwave package  
• Low noise figure, high gain, moderate power  
•
Space Qualification Expected 1998  
ESA/SCC Detail Spec. No.: 5613/008,  
Type Variant No.s 01 to 05  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!  
Type  
Marking Ordering Code Pin Configuration  
Package  
1
2
3
4
CFY25-P (ql)  
-
see below  
G
S
D
S
Micro-X  
CFY25-23 (ql)  
CFY25-23P (ql)  
CFY25-20 (ql)  
CFY25-20P (ql)  
CFY25-nnl: specifies noise, gain and output power level (see electrical characteristics)  
(ql) Quality Level:  
P: Professional Quality,  
H: High Rel Quality,  
S: Space Quality,  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Q62703F120  
on request  
on request  
ES: ESA Space Quality,  
Q62703F119  
(see order instructions for ordering example)  
Semiconductor Group  
1 of 8  
Draft D, Jul. 98  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CFY25-20P INFINEON

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 		暂无描述
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