CFY25-P

更新时间： 2024-02-27 23:20:34

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
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描述
HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET

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CFY25-P 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	5 V
最大漏极电流 (ID)：	0.08 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	8.5 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

CFY25-P 数据手册

CFY25

HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET

· HiRel Discrete and Microwave

Semiconductor

· For professional pre- and driver-amplifiers

· For frequencies from 500 MHz to 20 GHz

· Hermetically sealed microwave package

· Low noise figure, high gain, moderate power

Space Qualification Expected 1998

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5613/008,

Type Variant No.s 01 to 05

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

CFY25-P (ql)

see below

Micro-X

CFY25-23 (ql)

CFY25-23P (ql)

CFY25-20 (ql)

CFY25-20P (ql)

CFY25-nnl: specifies noise, gain and output power level (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

Q62703F120

on request

ES: ESA Space Quality,

Q62703F119

(see order instructions for ordering example)

Semiconductor Group

1 of 8

Draft D, Sep. 0000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CFY25-PS	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
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