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CFY27-38H

更新时间： 2024-11-19 18:43:15

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英飞凌 - INFINEON		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	45K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MICRO-X-4

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CFY27-38H 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	9 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.42 A
最大漏极电流 (ID)：	0.42 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.9 W
最小功率增益 (Gp)：	7.5 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

CFY27-38H 数据手册

CFY27

HiRel Ku-Band GaAs General Purpose MESFET

• HiRel Discrete and Microwave

Semiconductor

• For professional pre- and driver-amplifiers

• For frequencies from 500 MHz to 20 GHz

• Hermetically sealed microwave package

• High gain, medium power

• Component Under Development

•

Space Qualification Expected 1998

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5613/008,

Type Variant No.s 06 and 07 foreseen (tbc.)

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

CFY27-38 (ql)

CFY27-P (ql)

see below

Micro-X

CFY27-nnl: specifies gain and output power levels (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code: Q62703F121

Ordering Code:

on request

ES: ESA Space Quality,

(see order instructions for ordering example)

Semiconductor Group

1 of 8

Draft D, Jul. 98

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CFY27-38P	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CFY27-38S	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CFY27-P	INFINEON	获取价格	HiRel Ku-Band GaAs General Purpose MESFET
CFY27-PH	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CFY27-PS	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CFY30	INFINEON	获取价格	GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)
CFY30E6327	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, P-Channel, J
CFY35	INFINEON	获取价格	GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters)
CFY35/20E6327	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, P-Channel, J
CFY35/23E6327	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, P-Channel, J

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