CFY35-20

更新时间： 2024-09-22 22:10:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
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描述
GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters)

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CFY35-20 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MW-4, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	5 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.06 A
最大漏极电流 (ID)：	0.06 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.18 W	最小功率增益 (Gp)：	8 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

CFY35-20 数据手册

GaAs FET

CFY 35

________________________________________________________________________________________________________

D a t a s h e e t

* Low noise

* High gain

* For low-noise front end amplifiers

* For DBS down converters

ESD: Electrostatic discharge sensitive device,

observe handling precautions!

Type

Marking

Ordering code

(tape and reel)

Pin Configuration

Package 1)

CFY 35-20 NA Q62702-F1393 S D S G

CFY 35-23 NB Q62702-F1394

MW-4

Maximum ratings

Symbol

Value

Unit

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current

-4 ... 0

°C

Channel temperature

Storage temperature range

Total power dissipation (TS < 53°C)

150

-40...+150

180

stg

tot

Thermal resistance

540

K/W

Channel-soldering point

thChS

1) Dimensions see chapter Package Outlines

2) T_Sis measured on the source 1 lead at the soldering point to the PCB.

Siemens Aktiengesellschaft

pg. 1/4

13.02.1996

HL EH PD 21

12 3 4

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