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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.34 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 5 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.08 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.08 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.25 W | 最小功率增益 (Gp)： | 10 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CFY30E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, P-Channel, J |
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| CFY35 | INFINEON |
获取价格 |
GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters) |
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| CFY35/20E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, P-Channel, J |
|
| CFY35/23E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, P-Channel, J |
|
| CFY35-20 | INFINEON |
获取价格 |
GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters) |
|
| CFY35-23 | INFINEON |
获取价格 |
GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters) |
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| CFY66 | INFINEON |
获取价格 |
HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
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| CFY66-08 | INFINEON |
获取价格 |
HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
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| CFY66-08P | INFINEON |
获取价格 |
HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
|
| CFY66-08PES | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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