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CFY67-06H

更新时间： 2024-11-23 19:55:07

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英飞凌 - INFINEON		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	46K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, MICRO-X-4

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CFY67-06H 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	3.5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.06 A	最大漏极电流 (ID)：	0.06 A
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	K BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.2 W	最小功率增益 (Gp)：	11.5 dB
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	ESA/SCC 5613/004
子类别：	FET RF Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

CFY67-06H 数据手册

CFY67

HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT

• HiRel Discrete and Microwave

Semiconductor

• Pseudo-morphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT

• For professional super low-noise amplifiers

• For frequencies from 500 MHz to > 20 GHz

• Hermetically sealed microwave package

• Super low noise figure, high associated gain

•

Space Qualified

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5613/004,

Type Variant No.s 01 to 04, 05 foreseen (tbc.)

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

CFY67-06 (ql)

CFY67-08 (ql)

CFY67-08P (ql)

CFY67-10 (ql)

CFY67-10P (ql)

see below

Micro-X

CFY67-nnl: specifies gain and output power levels (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

Q62702F1699

on request

ES: ESA Space Quality,

Q62702F1699

(see order instructions for ordering example)

Semiconductor Group

1 of 9

Draft D, Jul. 98

12 3 4 5 6 7...9

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与CFY67-06H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CFY67-08	INFINEON	获取价格	HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-08ES	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
CFY67-08H	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
CFY67-08P	INFINEON	获取价格	HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-08PES	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
CFY67-08PH	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
CFY67-08PP	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
CFY67-08PS	INFINEON	获取价格	暂无描述
CFY67-10	INFINEON	获取价格	HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-10ES	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H

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