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CFY66-08P

更新时间： 2024-09-22 22:10:15

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
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描述
HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT

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CFY66-08P 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3.5 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.06 A
最大漏极电流 (ID)：	0.06 A	FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：	K BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.2 W
最小功率增益 (Gp)：	10 dB	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	ESA/SCC 5613/002	子类别：	FET RF Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

CFY66-08P 数据手册

CFY66

HiRel K-Band GaAs Super Low Nois e HEMT

• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor

• Conventional AlGaAs/GaAs HEMT

(For new design we recommend to use our

pseudo-morphic HEMT CFY67)

• For professional super low-noise amplifiers

• For frequencies from 500 MHz to > 20 GHz

• Hermetically sealed microwave package

• Super low noise figure, high associated gain

•

Space Qualified

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5613/002,

Type Variant No.s 01 to 04

ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

CFY66-08 (ql)

CFY66-08P (ql)

CFY66-10 (ql)

CFY66-10P (ql)

see below

Micro-X

CFY66-nnl: specifies gain and output power levels (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

on request

ES: ESA Space Quality,

(see order instructions for ordering example)

S e miconductor Group

1 of 8

Dra ft D, S e pte mbe r 99

12 3 4 5 6 7

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CFY66-08PP	INFINEON	获取价格	暂无描述
CFY66-08PS	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
CFY66-08S	INFINEON	获取价格	暂无描述
CFY66-10	INFINEON	获取价格	HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY66-10ES	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
CFY66-10H	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
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