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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 5 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CFY35-20 | INFINEON |
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GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters) |
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| CFY35-23 | INFINEON |
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GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters) |
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| CFY66 | INFINEON |
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HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
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| CFY66-08 | INFINEON |
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HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
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| CFY66-08P | INFINEON |
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HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
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| CFY66-08PES | INFINEON |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| CFY66-08PH | INFINEON |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| CFY66-08PP | INFINEON |
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暂无描述 |
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| CFY66-08PS | INFINEON |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| CFY66-08S | INFINEON |
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暂无描述 |
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