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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> CFY25-23
CFY25-23 PDF预览

CFY25-23

更新时间： 2024-02-23 23:49:06
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英飞凌 - INFINEON 放大器
页数 文件大小 规格书
6页 162K
描述
GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)

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CFY25-23 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.08 A最大漏极电流 (ID)：0.08 A
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最高频带：X BAND
JESD-30 代码：O-CRDB-F4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.25 W最小功率增益 (Gp)：8 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

CFY25-23 数据手册

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GaAs FET  
CFY 25  
● Low noise  
● High gain  
● For front-end amplifiers  
● lon-implanted planar structure  
● All gold metallization  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!  
Package1)  
Micro-X  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
4
CFY 25-17  
CFY 25-20  
CFY 25-23  
C 5  
C 6  
C 7  
Q62703-F106  
Q62703-F107  
Q62703-F108  
D
S
G
S
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
V
DS  
DG  
GS  
5
V
V
V
7
Gate-source voltage  
Drain current  
– 5 … + 0  
80  
ID  
mA  
mW  
˚C  
Total power dissipation, TS ≤ 56 ˚C2)  
Channel temperature  
Storage temperature range  
P
tot  
250  
T
ch  
150  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Channel - soldering point2)  
Rth chS  
375  
K/W  
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
TS is measured on the source lead at the soldering point to the pcb.  
2)  
07.94  
Semiconductor Group  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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