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CDST-56-HF PDF预览

CDST-56-HF

更新时间： 2024-11-16 06:47:19
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 小信号开关二极管
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
Small Signal Switching Diodes

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CDST-56-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.75
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.715 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.225 W最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.006 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CDST-56-HF 数据手册

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Small Signal Switching Diodes  
CDST-99-HF/70-HF/56-HF  
Reverse Voltage: 70 Volts  
Forward Current: 200 mA  
RoHS Device  
SOT-23  
Features  
Halogen free.  
0.119(3.00)  
0.110(2.80)  
Design for mounting on small surface.  
High speed switching.  
High mounting capability, strong surge  
withstand, high reliability.  
3
0.056(1.40)  
0.047(1.20)  
1
2
0.079(2.00)  
0.071(1.80)  
Mechanical data  
Case: SOT-23, molded plastic.  
0.006(0.15)  
0.002(0.05)  
Terminals: solderable per MIL-STD-750,  
method 2026.  
0.041(1.05)  
0.035(0.90)  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
Approx. weight: 0.0078 grams  
Circuit diagram  
0.004(0.10) max  
0.008(0.20) min  
3
3
3
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
1
2
1
2
Dimensions in inches and (millimeter)  
CDST-99-HF  
Marking Code: A7  
CDST-70-HF  
Marking Code: A4  
CDST-56-HF  
Marking Code: A1  
Maximum Ratings (at Ta=25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Units  
Reverse voltage  
Forward current  
VR  
IF  
70  
200  
V
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Peak surge forward current  
Power dissipation  
IFSM  
PD  
500  
225  
Thermal resistance, junction to ambient  
Maximum junction temperature  
Storage temperature  
RθJA  
TJ  
556  
150  
TSTG  
-55 to +150  
°C  
Electrical Characteristics (at Ta=25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min.  
Max.  
Units  
Reverse breakdown voltage  
VBR  
IR=100μA  
70  
V
0.715  
0.855  
1.0  
@IF=1mA  
@IF=10mA  
@IF=50mA  
@IF=150mA  
Forward voltage  
VF  
V
1.25  
μA  
2.5  
6
Reverse current  
IR  
trr  
@VR=70V  
IF=IR=10mA, Irr=0.1×IR,  
RL=100Ω  
Reverse recovery time  
nS  
pF  
Diode capacitance  
QW-J0002  
CT  
VR=0V, f=1.0MHz  
1.5  
REV:A  
Page 1  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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