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CDSU400B PDF预览

CDSU400B

更新时间： 2024-09-28 03:30:43
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
2页 151K
描述
SMD Switching Diode

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CDSU400B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, 0603, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：7.69Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：318714
Samacsys Pin Count：2Samacsys Part Category：Diode
Samacsys Package Category：Diodes MouldedSamacsys Footprint Name：0603/SOD-523F_1
Samacsys Released Date：2018-09-10 09:24:47Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-N2
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.15 W
最大重复峰值反向电压：90 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Gold (Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

CDSU400B 数据手册

 浏览型号CDSU400B的Datasheet PDF文件第2页 
COMCHIP  
SSMMDD SSwwiittcchinngg Diode  
(Lead-free Device)  
CDSU400B  
SMD Diodes Specialist  
High Speed  
Features  
Designed for mounting on small surface.  
Extremely thin/leadless package.  
Low leakage current.  
0603(1608)  
0.071(1.80)  
0.063(1.60)  
0.039(1.00)  
0.031(0.80)  
High mounting capability, strong surge  
withstand, high reliability.  
Mechanical data  
0.033(0.85)  
0.027(0.70)  
Case: 0603 (1608) standard package,  
molded plastic.  
0.014(0.35) Typ.  
Terminals: Gold plated, solderable per  
MIL-STD-750, method 2026.  
0.012 (0.30) Typ.  
Polarity: Indicated by cathode band.  
0.018(0.45) Typ.  
Mounting position: Any.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Weight: 0.003 gram (approximately)  
Maximum Rating ( at TA = 25 C unless otherwise noted )  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Symbol  
Conditions  
Typ Max Unit  
Min  
VRRM  
90  
80  
V
VR  
V
Average forward current  
IO  
100  
mA  
8.3 ms singlehalf sine-wave superimposed  
on rate load( JEDEC method)  
Forward current , surge peak  
IFSM  
1000  
mA  
Repetitive peak forward current  
Power Dissipation  
IFRM  
225  
150  
mA  
PD  
mW  
TSTG  
+125  
+125  
-55  
-55  
Storage temperature  
C
C
T j  
Junction temperature  
Electrical Characteristics ( at TA = 25 C unless otherwise noted )  
Parameter  
Conditions  
Symbol Min Typ Max  
Unit  
Forward voltage  
I F = 100 mADC  
VF  
1.0  
0.1  
3
V
Reverse current  
VR = 80 V  
IR  
uA  
Capacitance between terminals  
Reverse recovery time  
f = 1MHz, and 0.5VDC reversevoltage  
CT  
pF  
VR = 6V, IF = 10 mA, RL =50 ohms  
Trr  
4
nS  
REV:A  
Page 1  
QW-A0011  
12

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