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CDSU101A PDF预览

CDSU101A

更新时间： 2024-09-27 22:28:27
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管开关光电二极管PC
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2页 68K
描述
SMD Switching Diode

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CDSU101A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, CASE 0603, 2 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：7.69
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：4962075Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Diodes Moulded
Samacsys Footprint Name：CDSU101A+-+Samacsys Released Date：2020-03-20 12:50:50
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-N2JESD-609代码：e4
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.15 W最大重复峰值反向电压：90 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Gold (Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

CDSU101A 数据手册

 浏览型号CDSU101A的Datasheet PDF文件第2页 
SSMMDD SSwwiittcchinngg Diode  
(Lead-free Device)  
CDSU101A  
CCOOMMCCHHIIPP  
www.comchip.com.tw  
High Speed  
Features  
Designed for mounting on small surface.  
Extremely thin/leadless package.  
Low leakage current (<50nA).  
0603(1608)  
0.071(1.80)  
0.063(1.60)  
0.039(1.00)  
0.031(0.80)  
High mounting capability, strong surge  
withstand, high reliability.  
Mechanical data  
0.033 (0.85)  
0.027 (0.70)  
Case: 0603 (1608) standard package,  
molded plastic.  
0.010(0.25) Typ.  
Terminals: Gold plated, solderable per  
MIL-STD-750, method 2026.  
0.012 (0.30) Typ.  
Polarity: Indicated by cathode band.  
0.014(0.35) Typ.  
Mounting position: Any.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Weight: 0.003 gram (approximately)  
Maximum Rating ( at TA = 25 C unless otherwise noted )  
Parameter  
Conditions  
Typ Max Unit  
Symbol Min  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
90  
80  
V
VRRM  
V
VR  
Average forward current  
100  
mA  
IO  
8.3 ms singlehalf sine-wave superimposed  
on rate load( JEDEC method)  
Forward current , surge peak  
1000  
mA  
IFSM  
Power Dissipation  
150  
+125  
+125  
mW  
C
PD  
Storage temperature  
Junction temperature  
TSTG  
-40  
C
T j  
-40  
Electrical Characteristics ( at TA = 25 C unless otherwise noted )  
Parameter  
Conditions  
Symbol Min Typ Max  
Unit  
Forward voltage  
I F = 100 mADC  
VF  
1.0  
V
Reverse current  
VR = 75 V  
IR  
50  
nA  
Capacitance between terminals  
Reverse recovery time  
f = 1MHz, and 0.5VDC reversevoltage  
CT  
3
4
pF  
VR = 6V, IF = 10 mA, RL =50 ohms  
Trr  
nS  
RDS0301002-B  
12

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