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CDBQC0240LR-HF

更新时间： 2024-01-11 12:58:42
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 99K
描述
DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0402C

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CDBQC0240LR-HF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：1.71配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PBCC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CDBQC0240LR-HF 数据手册

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SMD Schottky Barrier Diode  
CDBQC0240LR-HF  
Io = 200 mA  
VR = 40 Volts  
RoHS Device  
Halogen Free  
0402C/SOD-923F  
Features  
0.041(1.05)  
0.037(0.95)  
- Low reverse current, Low forward voltage.  
- Designed for mounting on small surface.  
- Extremely thin / leadless package.  
- Majority carrier conduction.  
0.026(0.65)  
0.022(0.55)  
Mechanical data  
0.022(0.55)  
0.018(0.45)  
- Case: 0402C / SOD-923F standard package,  
molded plastic.  
0.001(0.02)  
Max.  
- Terminals: Gold plated, solderable per  
MIL-STD-750, method 2026.  
0.026(0.65)  
BSC.  
- Mounting position: Any.  
0.022(0.55)  
0.018(0.45)  
- Weight: 0.001 grams(approx.).  
0.012(0.30)  
0.008(0.20)  
Circuit diagram  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Rating (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Typ  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Conditions  
Min  
Max Unit  
VRRM  
40  
V
VR  
40  
V
Average forward rectified current  
IO  
200  
mA  
8.3 ms single half sine-wave superimposed  
on rate load (JEDEC method) * 1cycle  
Peak forward surge current  
IFSM  
3
A
Thermal resistance junction to ambient  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
RΘJA  
TJ  
500  
+150  
+150  
°C/W  
°C  
-55  
-55  
TSTG  
°C  
Electrical Characteristics(at TA=25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
Typ  
Min  
Max Unit  
IF = 10mA  
IF = 100mA  
IF = 200mA  
VR = 10V  
VF  
VF  
VF  
IR  
0.35  
0.48  
0.58  
0.5  
V
Forward voltage  
V
V
uA  
uA  
pF  
Reverse current  
Capacitance  
VR = 40V  
IR  
5
f = 1 MHz, and 1 VDC reverse voltage  
CT  
12  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV:B  
Page 1  
QW-G1122  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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