CDBQR0140L-HF

更新时间： 2024-09-28 06:47:07

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上华 - COMCHIP		整流二极管
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SMD Schottky Barrier Diode

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CDBQR0140L-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.34 V	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
JESD-609代码：	e4	最大非重复峰值正向电流：	1 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.125 W	最大重复峰值反向电压：	45 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Gold (Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

CDBQR0140L-HF 数据手册

SMD Schottky Barrier Diode

SMD Diodes Specialist

(RoHS Device)

CDBQR0140L-HF

Io = 100 mA

VR = 40 Volts

0402(1005)

Features

0.041(1.05)

0.037(0.95)

Halogen free.

Low forward voltage.

0.026(0.65)

0.022(0.55)

Designed for mounting on small surface.

Extremely thin / leadless package.

Majority carrier conduction.

0.022(0.55)

0.018(0.45)

Mechanical data

0.012(0.30) Typ.

Case: 0402(1005) standard package,

molded plastic.

Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

Marking Code: Cathode band & B8

Mounting position: Any.

0.020(0.50) Typ.

Dimensions in inches and (millimeter)

Weight: 0.001 gram(approx.).

Maximum Rating (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Repetitive Peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Min Typ Max Unit

VRRM

Average forward rectified current

100

8.3 ms single half sine-wave superimposed

on rate load (JEDEC method)

Forward current,surge peak

Power Dissipation

IFSM

125

Storage temperature

Junction temperature

TSTG

-40

+125

Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)

Typ

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Max Unit

IF = 100mA

IF = 10mA

0.55

0.34

Forward voltage

Reverse current

VR = 10V

Capacitance between terminals

f = 1 MHz, and 10 VDC reverse voltage

REV:B

Page 1

QW-G1105

Comchip Technology CO., LTD.

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