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CDBQR0140R-REVC

更新时间： 2024-01-28 12:17:33

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上华 - COMCHIP		二极管
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SMD Schottky Barrier Diode

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CDBQR0140R-REVC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.45 V	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
JESD-609代码：	e4	最大非重复峰值正向电流：	1 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.125 W
最大重复峰值反向电压：	45 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Gold (Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

CDBQR0140R-REVC 数据手册

SMD Schottky Barrier Diode

CDBQR0140R

Io = 100 mA

VR = 40 Volts

RoHS Device

0402/SOD-923F

Features

-Low reverse current.

0.041(1.05)

0.037(0.95)

-Designed for mounting on small surface.

-Extremely thin / leadless package.

-Majority carrier conduction.

0.026(0.65)

0.022(0.55)

Mechanical data

0.022(0.55)

0.018(0.45)

-Case: 0402/SOD-923F standard package,

molded plastic.

0.012(0.30) Typ.

-Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

-Marking code: cathode band & B9

-Mounting position: Any.

0.020(0.50) Typ.

-Weight: 0.001 gram(approx.).

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum Rating (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Repetitive Peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Min Typ Max Unit

VRRM

100

Average forward rectified current

Forward current,surge peak

8.3 ms single half sine-wave superimposed

on rate load (JEDEC method)

IFSM

Power Dissipation

Storage temperature

Junction temperature

TSTG

125

-40

+125

Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)

Typ

Max Unit

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Forward voltage

IF = 10mA

VR = 10V

0.45

Reverse current

Capacitance between terminals

f = 1 MHz, and 10 VDC reverse voltage

REV:C

Page 1

QW-A1115

Comchip Technology CO., LTD.

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