CDBQR0130R

更新时间： 2024-01-03 12:30:29

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上华 - COMCHIP		二极管
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SMD Schottky Barrier Diode

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CDBQR0130R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	1.42
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.45 V
JESD-30 代码：	R-PBCC-N2	JESD-609代码：	e4
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.125 W
最大重复峰值反向电压：	35 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Gold (Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

CDBQR0130R 数据手册

SMD Schottky Barrier Diode

SMD Diodes Specialist

(RoHS Device)

CDBQR0130R

VR = 30 Volts

Io = 100 mA

0402(1005)

Features

0.041(1.05)

0.037(0.95)

Low reverse current.

Designed for mounting on small surface.

Extremely thin / leadless package.

Majority carrier conduction.

0.026(0.65)

0.022(0.55)

Mechanical data

0.022(0.55)

0.018(0.45)

Case: 0402(1005) standard package,

molded plastic.

0.012(0.30) Typ.

Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

Marking code: cathode band & BQ

Mounting position: Any

0.020(0.50) Typ.

Weight: 0.001 gram(approx.).

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum Rating (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Typ

Max Unit

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Conditions

Min

VRRM

Reverse voltage

Average forward current

100

8.3ms single half sine-wave superimposed

on rate load(JEDEC method)

Forward current,surge peak

IFSM

Storage temperature

Junction temperature

TSTG

-40

+125

Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Typ

Max Unit

Parameter

Conditions

Min

Forward voltage

IF = 10 mA

VR = 10 V

0.45

Reverse current

0.5

REV:B

Page 1

QW-A1127

Comchip Technology CO., LTD.

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