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CBR1-D080

更新时间: 2024-11-30 21:54:55
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页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIER 1AMP, 100 THRU 1000 VOLTS

CBR1-D080 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-PDIP-T4
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:1.57最小击穿电压:800 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-PDIP-T4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:800 V最大反向电流:10 µA
反向测试电压:800 V表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CBR1-D080 数据手册

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
V

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