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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 1.4 |
| 最小击穿电压： | 800 V | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 反向测试电压： | 800 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DF08S | ONSEMI |
功能相似  |
1.5A桥式整流器 |
|
| MB10S | ONSEMI |
功能相似 |
0.5A 桥式整流器 |
|
| DF10S-T | DIODES |
功能相似 |
1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CBR1-D080SBK | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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| CBR1-D080SLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT, PLASTIC, DIP-4 |
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| CBR1-D080SPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, |
|
| CBR1-D080TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1A, 800V V(RRM), |
|
| CBR1-D100 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON BRIDGE RECTIFIER 1AMP, 100 THRU 1000 VOLTS |
|
| CBR1-D100LEADFREE | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 |
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| CBR1-D100S | CENTRAL |
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1.0 AMP DUAL IN LINE BRIDGE RECTIFIER |
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| CBR1-D100SBKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, |
|
| CBR1-D100SPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| CBR1-D100STR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT, PLASTIC, DIP-4 |
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