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CBR1F-D020STR13

更新时间: 2024-12-02 02:48:27
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5页 206K
描述
1 AMP DUAL IN lINE FAST RECOVERY SILICON BRICGE RECTIFIER DIP CASE

CBR1F-D020STR13 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.9配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:50 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:0.00001 µA最大反向恢复时间:0.2 µs
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CBR1F-D020STR13 数据手册

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