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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CASE A |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 8.2 | 最小击穿电压： | 600 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1.5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向恢复时间： | 0.3 µs |
| 子类别： | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CBR1F-080 | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, CASE A |
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| CBR1F-080LEADFREE | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, CASE A |
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| CBR1F-100 | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, CASE A |
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| CBR1F-100LEADFREE | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, CASE A |
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| CBR1F-D010 | CENTRAL |
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1 AMP DUAL IN lINE FAST RECOVERY SILICON BRICGE RECTIFIER DIP CASE |
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| CBR1F-D010-D100 | CENTRAL |
获取价格 |
1 AMP DUAL IN lINE FAST RECOVERY SILICON BRICGE RECTIFIER DIP CASE |
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| CBR1F-D020 | CENTRAL |
获取价格 |
1 AMP DUAL IN lINE FAST RECOVERY SILICON BRICGE RECTIFIER DIP CASE |
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| CBR1F-D020LEADFREE | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DIP-4 |
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| CBR1F-D020S | CENTRAL |
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1.0 AMP DUAL IN LINE FAST RECOVERY SILICON BRIDGE RECTIFIER |
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| CBR1F-D020S_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT 1 AMP FAST RECOVERY SILICON BRIDGE RECTIFIER |
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