5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.11 |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 最大反向电流： | 0.00001 µA | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CBR1-D100SPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| CBR1-D100STR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT, PLASTIC, DIP-4 |
|
| CBR1-D100STR13PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1A, 1000V V(RRM), |
|
| CBR1F-010 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON BRIDDGE RECTIFIERS CONTROLLED AVALANCHE |
|
| CBR1F-020 | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, CASE A |
|
| CBR1F-020LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, CASE A |
|
| CBR1F-040 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON BRIDDGE RECTIFIERS CONTROLLED AVALANCHE |
|
| CBR1F-040LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, CASE A |
|
| CBR1F-060 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON BRIDDGE RECTIFIERS CONTROLLED AVALANCHE |
|
| CBR1F-080 | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, CASE A |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
