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DF08M PDF预览

DF08M

更新时间： 2024-11-30 22:40:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
1.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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DF08M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDIP-T4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：23 weeks风险等级：0.64
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：800 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PDIP-T4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向电流：0.00001 µA子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

DF08M 数据手册

 浏览型号DF08M的Datasheet PDF文件第2页 
DF005M - DF10M  
1.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS  
Features  
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Diffused Junction  
Low Forward Voltage Drop, High Current  
Capability  
DF-M  
C
·
·
·
Surge Overload Rating to 50A Peak  
Designed for Printed Circuit Board Applications  
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
UL Listed Under Recognized Component Index,  
File Number E94661  
Dim  
A
Min  
7.40  
6.20  
0.22  
1.27  
7.60  
3.81  
8.13  
2.40  
5.00  
0.46  
Max  
7.90  
6.50  
0.30  
2.03  
8.90  
4.69  
8.51  
2.60  
5.20  
0.58  
B
D
A
E
B
C
·
D
H
E
Mechanical Data  
G
H
J
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated Leads,  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Case  
Approx. Weight: 0.38 grams  
Mounting Position: Any  
G
L
J
K
K
·
·
·
·
L
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
DF  
005M  
DF  
01M  
DF  
02M  
DF  
04M  
DF  
06M  
DF  
08M  
DF  
10M  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRMM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
580  
1000  
700  
V
VRMS  
IO  
RMS Reverse Voltage  
35  
280  
1.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TA = 40°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, 8.3 ms  
single half-sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
50  
A
Forward Voltage (per element)  
@ IF = 1.0 A  
VFM  
IRM  
1.1  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage (per element) @ TA = 125°C  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms)  
@ TA = 25°C  
10  
500  
µA  
I2t  
Cj  
10.4  
25  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance per element (Note 1)  
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
RqJA  
Tj, TSTG  
40  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
2. Thermal Resistance, junction to ambient, measured on PC board with 5.02mm (0.03mm thick) land areas.  
DS21201 Rev. H-2  
1 of 2  
DF005M-DF10M  
12

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DF08M 替代型号

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