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DF08S

更新时间： 2024-02-17 08:34:26

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DAESAN		二极管光电二极管
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2页	236K
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CURRENT 1.0 Ampere VOLTAGE 50 to 1000 Volts

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DF08S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, DFS, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.56
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DF08S 数据手册

CURRENT 1.0 Ampere

VOLTAGE 50 to 1000 Volts

DF005S THRU DF10S

Features

· Glass Passivated Die Construction

· Diffused Junction

· Low Forward Voltage Drop, High Current Capability

· Surge Overload Rating to 50A Peak

· Designed for Surface Mount Application

· Plastic Material - UL Flammability Classification 94V-0

D E

DF-S

Dim

Min

7.40

6.20

0.22

0.076

Max

7.90

6.50

0.30

0.33

10.40

1.53

8.51

2.60

5.20

1.20

Mechanical Data

· Case : Molded Plastic

· Terminals : Solder Plated Leads,

Solderable per MIL-STD-202, Method 208

· Polarity : As Marked on Case

· Approx Weight : 0.38 grams

· Mounting Position : Any

1.02

8.13

2.40

5.00

1.00

· Marking : Type Number

All Dimens ions in mm

Maximum Ratings And Electrical Characteristics

(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive

load. For capacitive load, derate by 20%)

005S

01S

02S

04S

06S

08S

Symbols

Units

10S

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMM

RWM

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

Volts

RMS Reverse voltage

RMS

280

1.0

Volts

Amp

Average Rectified Output Current @ T

=40

℃

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current,

8.3ms single half-sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC method)

IFSM

Amp

1.1

Volts

Forward Voltage (per element)

@ IF=1.0 A

@ T

=25℃

Peak Reverse Current at Rated

DC Blocking Voltage (per element)

μA

@ TA

=100℃

500

10.4

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

I²t

A²

Typical Junction Capacitance

per element (Note 1)

Typical Thermal Resistance,

Junction to Ambient (Note 2)

℃/W

RθJA

STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to +150

℃

Notes:

(1) Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.

(2) Thermal Resistance, junction to ambient, measured on PC board with 5.0²mm (0.03mm thick) land areas.

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