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DF08STRR16

更新时间： 2024-01-17 02:21:06
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 508K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-4

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DF08STRR16 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.01其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流：31 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

DF08STRR16 数据手册

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PART OBSOLETE - EOL18  
Bulletin U2788 rev. G 04/03  
DF SERIES  
1A Single Phase D.I.L. Rectifier Bridge  
Features  
• Glass passivated chips  
• Leads on standard 0.1" grid  
• Suitable for automatic insertion  
+
IO(av) = 1.0 A  
VRRM range  
50 to 1000V  
IO(av)  
• High surge current capability  
• Fully characterised data  
~
~
-
• Wide temperature range  
• Surface mount option  
• Lead free terminals solderable as per  
MIL-STD-750 Method 2026  
• High temperature soldering guaranteed 260°C/8-10 secs  
• Polarity symbols marked on the case  
• UL E160375 approved  
Description  
The DF Series of Single Phase Rectifier Bridges  
consists of four silicon junctions encapsulated in a 4  
pin D.I.L. package. These devices are intended for  
general use in industrial and consumer equipment.  
Electrical Specification  
DF...  
Units Conditions  
IO  
Maximum DC output  
current  
1.0  
0.8  
30  
A
A
A
A
Tamb = 40oC, Resistive or inductive load  
T
amb = 40oC, Capacitive load  
IFSM  
Maximum peak one  
cycle, non-repetitive  
surge current  
t = 10ms, 20ms  
t = 8.3ms, 16.7ms  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM reapplied  
Initial TJ = TJ max  
100% VRRM reapplied  
Initial TJ = TJ max  
31  
I2t  
Maximum I2t capability  
for fusing  
4.5  
4.1  
6.4  
5.8  
64  
A2s  
A2s  
A2s  
A2s  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
no voltage reapplied  
I2√t  
VFM  
IRM  
f
Maximum I2√t  
A2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
capability for fusing  
Maximum peak forward  
voltage per diode  
Typical peak reverse  
leakage per diode  
Operating frequency  
range  
1.0  
V
IFM = 1.0A, TJ = 25oC  
5
100  
50 to 1000  
µA  
µA  
Hz  
TJ = 25oC, 100% VRRM  
TJ = 150oC, 100% VRRM  
VRRM  
Maximum repetitive peak  
reverse voltage range  
50 to 1000  
V
Thermal and Mechanical Specifications  
DF...  
Units Conditions  
TJ  
Operating and storage  
temperature range  
Thermal resistance,  
junctions to ambient  
Approximate weight  
- 55 to 150  
oC  
Tstg  
RthJA  
60  
K/W  
W
0.6 (0.02)  
g (oz)  
1
www.irf.com  
1234

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