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DF08S-T3

更新时间： 2024-02-06 08:26:14

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3页	59K
描述
1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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DF08S-T3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.26	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

DF08S-T3 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

DF005S – DF10S

1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Features

Glass Passivated Die Construction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Surge Current Capability

Designed for Surface Mount Application

Plastic Material – UL Recognition Flammability

Classification 94V-O

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ L

DF-S

Min

Dim

Max

7.90

6.50

0.25

0.33

10.40

1.53

8.51

3.40

5.20

1.20

Mechanical Data

7.40

6.20

0.009

0.076

—

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: As Marked on Case

Weight: 0.38 grams (approx.)

Mounting Position: Any

1.02

8.13

3.20

5.0

*Low profile models (J = 2.20~2.50mm) are available.

Please consult factory.

Marking: Type Number

1.00

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

005S

01S

02S

04S

06S

08S

10S

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

1.0

Average Rectified Output Current

@T_A= 40°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

FSM

Forward Voltage per element

@I_F= 1.0A

V^FM

I^RM

1.1

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 125°C

500

µA

Typical Junction Capacitance per element (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

C^j

110

K/W

°C

R^ꢀ^JA

Operating and Storage Temperature Range

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2. Thermal resistance junction to ambient mounted on PC board with 5.0mm²(0.03mm thick) land areas.

DF005S – DF10S

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与DF08S-T3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DF08S-T-F	DIODES	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DF-S, 4 PIN
DF08ST-G	COMCHIP	获取价格	SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers
DF08ST-HF	COMCHIP	获取价格	SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers
DF08STR16	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT, DIP-4
DF08STRR16	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-4
DF0SS	FAIRCHILD	获取价格	Bridge Rectifiers
DF1	GREATECS	获取价格	Vertical Type Detector Switches
DF1	MMD	获取价格	D & F Series Crystal
DF1_12	MMD	获取价格	D & F Series Crystal
DF10	PACELEADER	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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