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DF10

更新时间： 2024-01-03 01:43:25
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
3页 36K
描述
1.5 Ampere Bridge Rectifiers

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DF10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
Is Samacsys：N配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1 A
最大重复峰值反向电压：1000 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：YESBase Number Matches：1

DF10 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
DF005S - DF10S  
0.255 (6.477)  
0.245 (6.223)  
0.042 (1.067)  
0.038 (0.965)  
Features  
0.335 (8.509)  
0.320 (8.128)  
0.205 (5.207)  
0.195 (4.953)  
• Surge overload rating: 50 amperes  
peak.  
• Glass passivated junction.  
• Low leakage.  
Dimensions are in:  
inches (mm)  
SDIP  
0.310 (7.874)  
0.290 (7.366)  
LOW PROFILE ALSO AVAILABLE  
0.009 (0.229)  
Typical  
0.135 (3.429)*  
0.115 (2.921)*  
BODY - - 0.102 (2.591)*  
0.095 (2.413)*  
0.060 (1.524)  
0.040 (1.016)  
0.008 (0.203)  
0.004 (0.102)  
0.410 (10.414)  
0.360 ( 9.144)  
1.5 Ampere Bridge Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
@ TA = 40°C  
1.5  
A
Peak Forward Surge Current  
if(surge)  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg  
50  
A
PD  
3.1  
25  
40  
W
mW/°C  
°C/W  
RθJA  
Tstg  
TJ  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
**Device mounted on PCB with 0.5 x 0.5" (13 x 13 mm).  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
005S  
01S  
100  
70  
02S  
200  
140  
200  
04S  
400  
280  
400  
06S  
600  
420  
600  
08S  
10S  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
50  
35  
50  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
100  
1000  
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
Maximum Reverse Leakage,  
total bridge @ rated VR TA = 25°C  
TA = 125°C  
5.0  
500  
µA  
µA  
Maximum Forward Voltage Drop,  
per bridge  
@ 1.0 A  
t < 8.35 ms  
1.1  
10  
V
I2t rating for fusing  
A2Sec  
Typical Junction Capacitance, per leg  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
25  
pF  
DF005S-DF10S, Rev.  
A
1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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