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BUW11F

更新时间: 2024-11-03 22:16:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 92K
描述
Silicon diffused power transistors

BUW11F 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
其他特性:FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:32 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):4800 ns
最大开启时间(吨):1000 nsVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

BUW11F 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BUW11F; BUW11AF  
Silicon diffused power transistors  
1997 Aug 14  
Product specification  
Supersedes data of February 1996  
File under Discrete Semiconductors, SC06  

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