Datasheet > BUW12A

BUW12A

更新时间： 2024-02-07 15:47:59

品牌	Logo	应用领域
SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	137K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUW12A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

BUW12A 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BUW12 BUW12A

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High voltage,fast speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Specially intended for operating

In industrial applications

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

850

1000

400

450

UNIT

BUW12

BUW12A

BUW12

BUW12A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

Collector current-peak

Base current

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

125

150

-65~175

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.2

ꢀ/W

12 3

中文翻译

下载PDF

与BUW12A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUW12AF	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW12AW	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW12AW/B	ETC	获取价格	TRANSISTOR
BUW12F	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW12W	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW13	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BUW13	COMSET	获取价格	HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED POWER TRANSISTOR
BUW13	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BUW131	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BUW131A	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors