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BUW12W

更新时间: 2024-02-25 10:58:41
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 81K
描述
Silicon diffused power transistors

BUW12W 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65最大集电极电流 (IC):8 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):125 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

BUW12W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BUW12W; BUW12AW  
Silicon diffused power transistors  
Product specification  
1997 Aug 14  
Supersedes data of December 1991  
File under Discrete Semiconductors, SC06  

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