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BUW13AW

更新时间: 2024-11-03 22:16:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 81K
描述
Silicon diffused power transistors

BUW13AW 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-247
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:450 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUW13AW 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BUW13W; BUW13AW  
Silicon diffused power transistors  
1997 Aug 13  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC06  

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