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BUW13W

更新时间: 2024-11-03 22:16:59
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
12页 81K
描述
Silicon diffused power transistors

BUW13W 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-247
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUW13W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BUW13W; BUW13AW  
Silicon diffused power transistors  
1997 Aug 13  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC06  

与BUW13W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUW14 NXP

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Silicon Diffused Power Transistor
BUW144-0528-12AA95 ACTEL

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BUW144-0729-12AA95 ACTEL

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IC Socket, BGA144, 144 Contact(s), ROHS COMPLIANT
BUW144-0730-12AA95 ACTEL

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IC Socket, BGA144, 144 Contact(s), ROHS COMPLIANT
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BUW144-0829-12AA95L ACTEL

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BUW144-1028-12AA95 ACTEL

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