BUW12F

更新时间： 2024-11-03 22:16:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
12页	83K
描述
Silicon diffused power transistors

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BUW12F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	34 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	4800 ns	最大开启时间（吨）：	1000 ns
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BUW12F; BUW12AF

Silicon diffused power transistors

1997 Aug 14

Product speciﬁcation

Supersedes data of February 1996

File under Discrete Semiconductors, SC06

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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