BUW12AF

更新时间： 2024-11-03 22:16:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	83K
描述
Silicon diffused power transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUW12AF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	450 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	34 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	4800 ns	最大开启时间（吨）：	1000 ns
VCEsat-Max：	1.5 V

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BUW12F; BUW12AF

Silicon diffused power transistors

1997 Aug 14

Product speciﬁcation

Supersedes data of February 1996

File under Discrete Semiconductors, SC06

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUW12AW	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW12AW/B	ETC	获取价格	TRANSISTOR
BUW12F	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW12W	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BUW13	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BUW13	COMSET	获取价格	HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED POWER TRANSISTOR
BUW13	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BUW131	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BUW131A	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BUW131H	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor